磁阻式随机存储器(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)具有非易失、静态功耗极低、抗辐射等优势，在航空航天等领域展现出广阔的应用前景。当前国内外尚缺乏MRAM质量考核试验方法，现有通用标准仅覆盖基础指标，缺乏适配其特性的专项测试方法与判据。聚焦国产MRAM产品，系统分析磁干扰数据错误、数据保持失效等典型失效机理，构建面向抗磁干扰、数据保持、数据擦写次数等关键能力的专项测试考核试验方法，明确各试验的原理、流程与量化判据，为MRAM质量考核标准制定提供关键技术支撑。

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