SiC MOSFET 体二极管双极退化是由材料缺陷导致的退化现象，严重影响器件的可靠性，目前没有统一的试验方法，影响了器件的推广和应用。从加电模式、加电条件、试验时间和失效判据 4 个方面对体二极管双极退化可靠性试验方法进行了研究，并编制了体二极管双极退化可靠性试验方法草案。

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