摘要  在深入研究JFET低频噪声特性及产生机理的基础上,提出了一种通过测试宽频带功率谱密度得到其规定频率处等效输入噪声电压功率谱密度和噪声系数的测试方法,并给出了低频噪声测试的偏置电路、测试设备和测试方法。结合3DJ4和3DJ6型JFET器件的测试结果表明,采用本文提出的方法可适用于JFET的低频噪声的测试。
关键词  结型场效应晶体管  低频噪声  等效输入噪声电压  噪声系数
Abstract: This paper is basised on going deep into the characteristic property studying 
JFET low frequency noise and producing principle,have brought forward one kind of the 
testing method getting it's the equivalent input noise voltage power spectral density and
noise figure by testing broadband power spectral density, and have given low frequency
noise testing biasing circuit ,device and method. 3DJ4 and 3DJ6 type JFET components
testing result indicate union , testing method brought forward by this paper adequate for
JFET low frequency noise tests.
Keywords: JFET; low frequency noise; equivalent input noise voltage; noise figure

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