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来源: 《信息技术与标准化》2012年第4期 作者:张秋 程子秦
周钦沅

氮化镓微波功率器件研究动态(上)
Current Status of GaN Microwave Devices Research and 
Development (Part One)


摘 要 氮化镓微波功率器件是继砷化镓微波功率器件之后在21 世纪新发展起来的微电子领域的研发热点,追踪研究了美国目前正在进行的“氮化电子下一代技术”计划、日本正在进行的氮化镓微波器件科研项目、欧洲KORRIGA”及“GREAT”项目近况,总结了氮化镓微波功率器件的发展趋势。
关键词 氮化镓 器件 微波
Abstract: Tremendous efforts had been paid to the research and development of GaN 
microwave devices. This paper introduces project NEXT in USA, the NEDO’s effect to 
develop GaN microwave devices in Japan and project KORRIGAN and GREAT2 in Europe.
Keywords: GaN; device; microwave

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