针对硅通孔 (TSV) 三维堆叠芯片在微电子封装领域面临的可靠性挑战，阐述了 TSV 三维堆叠的工艺流程，分析了 TSV 孔的制造、芯片减薄、三维键合和组装等关键工艺环节对可靠性的影响，并探讨了 TSV 孔的质量和可靠性等问题。基于当前 TSV 三维堆叠芯片的可靠性标准，明确了可靠性应力试验条件与推荐的检测方法，为提升 TSV 三维堆叠芯片的可靠性和制造效率提供科学依据和实践策略，促进技术的优化与升级。

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