针对硅通孔(Through-Silicon Via，TSV)三维封装因结构复杂、制造工艺特殊而导致的可靠性评估难题，依据GB/Z 43510—2023《集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南》，系统分析了TSV制造工艺中各技术路线的可靠性挑战，梳理了芯片—封装交互作用应力等主要可靠性问题，详细阐述了绝缘层缺陷、通孔空洞、电迁移等失效模式的物理机理。在此基础上，构建了覆盖TSV链状和蛇形排列结构等10类试验结构的可靠性试验矩阵，提出了包括温度循环等可靠性试验方法，为我国TSV三维封装产品的可靠性评估、鉴定检验及产业化应用提供了方法支撑。

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